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为了实现GX，扩大SiC功率半导体器件事业
功率半导体器件是实现“绿色转型（GX）”挑战的关键器件之一，绿色转型的着眼点是实现碳中和与社会转型。
SiC功率半导体器件采用硅（Si）和碳（C）1：1结合的化合物半导体SiC（碳化硅），与传统的硅功率半导体器件相比，功率损耗大幅降低，并且可以实现高温操作和快速开关操作，因此，该器件有望为空调等家电、工业设备、轨道列车、汽车等各种电力电子设备的节能做出贡献，并且可以搭载在电动汽车上，其市场有望迅速扩大。
此外，作为下一代半导体晶圆材料，对于使用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体器件的期望越来越高。
为了扩大功率半导体器件事业，三菱电机将通过各种投资以及最先进的功率半导体器件的研发和产品化，向实现“绿色转型（GX）”发起挑战。
新闻发布： 2023年3月14日
规划建设新晶圆厂，强化布局SiC功率半导体产业
三菱电机计划投资约2,600亿日元，将功率器件业务从2021财年到2025财年的累计设备投资计划金额翻倍，其中包括建设新厂房以加强SiC功率半导体的生产体系。
在SiC晶圆方面，计划投资约1,000亿日元，建设新厂房并增强设备。新厂房将建在位于熊本县泗水地区的基地，支持大直径（8英寸）SiC晶圆生产，并引入具有先进节能性能的洁净室，通过落实自动化来提高生产效率。
新闻发布： 2023年10月10日
投资美国Coherent的SiC事业公司
我们与Coherent Corp.（高意株式会社，总部：美国宾夕法尼亚州萨克森堡，以下简称“Coherent”）达成协议，向Coherent将SiC业务分拆后成立的新公司注资5亿美元（约750亿日元*）。
本公司通过加强与SiC衬底供应商Coherent的垂直合作，进一步巩固合作伙伴关系，将在有望快速增长的SiC功率半导体器件市场，进一步实现SiC衬底的稳定采购，并稳定供应具有高性能和高可靠性的产品，以此来扩大我们的事业。
*：按照1美元=149.6日元计算（2023年9月底的TTM汇率）
新闻发布： 2023年5月26日
与美国Coherent就联合开发8英寸SiC衬底签署基本协议
三菱电机与Coherent Corp.（高意株式会社，总部：美国宾夕法尼亚州萨克森堡，以下简称“Coherent”）就联合开发面向电力电子市场的8英寸SiC衬底签署了基本协议。
根据该基本协议，三菱电机将通过与Coherent联合开发高质量的8英寸SiC衬底，以巩固合作伙伴关系，并确保SiC功率半导体器件的稳定供应。根据2023年3月14日发布的消息，该基板将用于在熊本县泗水地区的新厂房生产的SiC功率半导体器件。
新闻发布： 2023年11月13日
三菱电机与 Nexperia B.V. 就共同开发 SiC 功率半导体达成战略合作伙伴关系
三菱电机已与 Nexperia B.V. （以下简称“Nexperia”）建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
三菱电机将为 Nexperia 开发并供应采用化合物半导体技术的 SiC-MOSFET 芯片， Nexperia 将开发配备三菱电机SiC功率半导体芯片的 SiC 分立器件。
新闻发布：2023年7月28日
投资Novel Crystal Technology公司，开发氧化镓功率半导体
三菱电机向从事开发、制造和销售作为新一代功率半导体晶圆之一而备受关注的氧化镓晶圆的公司——Novel Crystal Technology进行了投资。未来，本公司将加快氧化镓功率半导体的研发，通过促进节能性优异的功率半导体在社会中的广泛应用，为实现脱碳社会做出贡献。
新闻发布： 2023年8月29日
功率器件制作所福山工厂完成12英寸Si晶圆生产线安装
三菱电机首条12英寸Si（硅）晶圆生产线已在负责制造功率半导体（晶圆加工流程）的功率器件制作所福山工厂完成安装。此外，通过样品生产和测试，验证了该生产线加工的功率半导体芯片达到了所需的性能水平。
按照此前公布的内容，三菱电机计划从2025财年起将福山工厂的12英寸Si晶圆生产线转入量产，以便在2026财年将Si功率半导体晶圆加工流程的生产产能提高至2021财年的约两倍。
