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SiC DIPIPM/SiC DIPPFC

搭载SiC MOSFET的传统封装

搭载SiC-MOSFET,有利于降低功耗和缩小系统体积。

特征

  • 搭载SiC-MOSFET,有效降低导通电阻,功耗较传统产品※1降低超过70%(SiC DIPIPM)
  • 降低恢复电流,从而实现低噪系统
  • 搭载本公司自有技术高Vth SiC-MOSFET,无需用于驱动栅极的负偏压电路
  • 搭载碳化硅芯片,可支持高频开关(最高40kHz),缩小电抗器、散热器等周边零件的体积,从而实现降本(SiC DIPPFC)
  • 确保与传统产品※1相同的封装和引脚布局的兼容性,只需切换到本产品,即可提高性能(SiC DIPIPM)
  • 由于采用的是与超小型DIPIPM相同的封装,因此在同时使用逆变器和散热器时无需为对齐高度而使用垫片,安装更简单(SiC DIPPFC)。
  • ※1:本公司生产的超小型DIPIPM系列
DIPIPM、SOPIPM、SLIMDIP、DIPIPM+、DIPPFC、CSTBT是三菱电机株式会社的商标。

主要用途

  • 空调
  • 小容量逆变器
  • 小容量伺服电机

阵容

SiC DIPIPM
VDSSID (A)型号内部拓扑
60015三相变频,搭载驱动IC
25
SiC DIPPFC
VDSSIi (Arms)型号内部拓扑
60030PFC电路,搭载驱动IC

特征产品

DIPIPM: SiC MOSFET的优势

调整特性后的低噪音SiC可提高系统的频率和效率

  • 功率损耗对比

  • 降低恢复电流,减少噪音

DIPPFC: 采用碳化硅芯片的改善效果

同时减少DC损耗和恢复损耗 ⇒ 改善系统效率

  • 静态特性

  • 功率损耗对比

文档

对应产品

SLIMDIP

体积更小,使用更方便

超小型DIPIPM

小容量事实标准封装

关联页面的链接

功率模块损耗仿真软件

可轻松计算功率模块损耗和温升的模拟器。

FAQ

以下为常见问题的回答。

评估电路板

为开发搭载DIPIPM的逆变器设备提供支持。