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裸芯片

SiC-MOSFET 裸芯片

平面型和沟槽型 SiC MOSFET 技术有助于实现低功耗和高可靠性。

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特征

  • 与传统的 Si-IGBT 相比，SiC-MOSFET 可以实现更低的损耗和更高的工作频率，有助于系统小型化
  • 通过在沟槽结构中形成高质量的栅极氧化膜，可以抑制长期使用过程中的Vth波动和损耗劣化。
  • 除了保护栅极氧化膜的Bottom P-Well 结构外，三菱独创结构（SPW*1、J-FET 掺杂*2）实现了高栅极可靠性、低Ron和低开关损耗。
  • *1：沟槽型设备的Side P-Well
  • *2：掺杂技术通过增加JFET(Junction Field Effect Transistor)区域中的杂质密度，提高器件密度

主要用途

  • EV / HEV
  • 车载充电器
  • 充电基础设施

阵容

SiC-MOSFET
Type NameStructureVDS [V]RDS(on)typ.
[mΩ]*		ApplicationStatus
Trench12009.0AutomotiveUnder development
Trench7507.8AutomotiveUnder development
 * Tj=25℃

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