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WF0009Q-1200AA

1200V, 9mΩ, SiC MOSFET 裸芯片

状态： 开发中　（可提供样品）

通过沟槽型SiC-MOSFET工艺技术和优化结构设计实现低损耗、高可靠性器件

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特点

  • 将Si功率器件中培育的高质量工艺技术应用于SiC-MOSFET
  • 除了保护栅极氧化膜的Bottom P-Well 结构外，三菱独创结构（SPW*1、J-FET 掺杂*2）实现了高栅极可靠性、低Ron和低开关损耗。
  • 通过优化的结构设计和高质量的工艺技术实现低导通电阻特性和高可靠性
  • 表面电极与焊点兼容
  • *1：Side P-Well
    *2：掺杂技术通过增加JFET(Junction Field Effect Transistor)区域中的杂质密度，提高器件密度

主要用途

  • EV和HEV
  • 车载充电器
  • 充电基础设施

主要规格
Parameter Level Value Unit
Device SiC MOSFET 裸芯片
VDSS Min. 1200 V
RDS(ON) Typ. 9* mΩ
Supply situation 开发中
Main Applications 汽车

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