在要求高速开关、电压驱动和低损耗的功率器件中,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)在低电流和低耐压方面有着良好的表现。使用基于亚微米技术的沟槽栅结构,实现了显著低于平面栅结构的导通电阻(漏极和源极之间漏极电流流动区域的电阻值)。
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